SK Hynix заявила о разработке 16-Гбит DDR5-5200 для производства с 10-нм нормами

Компания SK Hynix — 2-ой во всем мире по величине производитель памяти типа DRAM — сказала о разработке 16-Гбит кристаллов DRAM DDR5 с применением второго поколения техпроцесса класса 10 нм (1Ynm). Это тот же самый новый техпроцесс компании, для того она начинает создание 8-Гбит кристаллов DDR4. Забегая вперёд, отметим, что к производству памяти DDR5 компания SK Hynix приступит исключительно в 2020 году, так как данный эталон DRAM пока ещё не принят комитетом JEDEC не поддерживается разработчиками контроллеров и микропроцессоров. Это только заготовка на будущее, которая ждёт собственного часа.

Согласно прогнозу аналитиков компании IDC, к примеру, спрос на DDR5 начнёт появляться исключительно в 2020 году, что обещает довести в 2021 году долю DDR5 в мировом объёме производства памяти до 25 % и до 44 % в 2022 году. Потому компании SK Hynix, так же как и остальным фаворитам рынка DRAM, не надо торопиться с внедрением в создание этого поколения памяти. Но начнётся всё с завоевания серверного рынка, которому DDR5 преподнесёт возможность расширить банки памяти и прирастить скорость передачи данных от модулей к микропроцессорам и назад.

Согласно требованиям предварительный редакции эталона DDR5, питание чипов снижено с 1,4.5 В до 1,1 В, что обещает понизить потребление памяти на 30 % сравнительно с памятью DDR4. В этом случае скорость обмена выросла на 60 % иначе говоря до 5200 Мбит/с, если ассоциировать с одной из быстрейших сейчас памятью DDR4-3200. Совокупно скорость обмена с модулем памяти DDR5 вырастет до 41,6 Гбайт/с — это 11 кинофильмов с качеством Full HD, переданных за 1 секунду, любой из которых будет «весить» 3,7 Гбайт. Обычно несуразный пример, продать, однако даёт представление о масштабах конфигураций. Настолько стремительная память, убеждены в компании, даст новый импульс развитию платформ ИИ, машинного обучения и работам с массивами данных.

Для понижения ошибок чтения разработчикам пришлось внести много конфигураций в схемотехнику памяти. Когда, сигнальные интерфейсы пришлось доработать также по тем обстоятельствам, что модули памяти DDR5 будут использовать в два раза не просто банков (32 заместо 16), чем память DDR4. Это также потребовало вести согласованные работы с производителями модулей RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module) и UDIMM (Unbuffered DIMM) для серверных платформ. Также компания заявляет, что механизмы корректировки ECC сейчас интегрированы в чипы памяти. Всё надёжнее и надёжнее, что вызвано также ускорением обмена.